Технология

'Чистая комната' в Берлинском Техническом Университете, 26 января 2006 г. Швейкин В.И., Геловани В.А.,
Сонк А.Н.
"Чистая комната" в Берлинском Техническом Университете,
26 января 2006 г.

Полупроводниковые лазеры (далее диодные лазеры) являются базовыми элементами для многих различных видов применений.

Основные преимущества диодных лазеров в сравнении с другими типами лазеров состоят в их максимальном КПД, малых размерах, наибольшим диапазоном длин волн, групповой технологии их изготовления и относительно низкой себестоимостью. Однако, по уровню выходной мощности они уступают твердотельным, мощным газовым (на СО2) и волоконным оптическим лазерам. Линейки и решётки диодных лазеров позволяют на один-два порядка увеличить выходную мощность излучения, но при этом существенно снижается качество лазерного излучения и значительно вырастает трудоёмкость их изготовления.

Основная задача, поставленная нами в проекте - разработка и освоение производства нового поколения диодных источников лазерного излучения, обладающих высоким качеством лазерного излучения в широком диапазоне мощностей лазерного излучения.

Базовой основой для решения поставленной задачи являются созданные нами запатентованные экспериментальные диодные лазеры нового типа ДЛ-ВИОР (см. параграф интеллектуальная собственность). В основу ДЛ-ВИОР положены неизвестные ранее принципы вовлечения в лазерную генерацию излучения, вытекающего (при определенных условиях) из оптического волновода. Основное отличие и достоинство этих ДЛ состоит в том, что в рабочем режиме размер излучаемой области в вертикальном направлении на порядок и более превышает указанный размер в стандартных диодных лазерах, в которых при превышении размера излучаемой области в вертикальном направлении более, чем 1мкм, возникает недопустимая генерация лазерных мод высоких порядков.

План проекта предусматривает разработку технологии и организацию производство следующих видов продукции на основе запатентованной технологии:

  • Импульсные и непрерывные высокомощные, с малой угловой расходимостью, лазеры, линейки и решетки лазерных диодов на длины волн 808, 915, 940, 975 и 1060 нм
  • Импульсные и непрерывные одномодовые, одночастотные и высокомощные интегральные линейные комбинации: задающий диодный лазер - полупроводниковый оптический усилитель на длины волн 808, 915, 940, 975 и 1060 нм.
  • Импульсные и непрерывные одномодовые, одночастотные и сверхвысокомощные интегральные комбинации: задающий одночастотный диодный лазер - интегрально-линейный полупроводниковый оптический усилитель - интегрально-перпендикулярный полупроводниковый оптический усилитель на длины волн 808, 915, 940, 975 и 1060 нм.
  • Импульсные и непрерывные одномодовые, одночастотные и сверхвысокомощные интегральные комбинации: задающий одночастотный диодный лазер - интегрально-линейный полупроводниковый оптический усилитель - интегрально-перпендикулярный полупроводниковый оптический усилитель на длины волн с вертикальным выводом усиленного лазерного излучения 808, 915, 940, 975 и 1060 нм.
  • Сверхмощные одиночные высокомощные лазеры с выводом излучения перпендикулярно горизонтальной плоскости генерации лазерного излучения, а также матрицы на их основе.
  • Высокоэффективные и мощные волноводные светодиоды

Образцы продукции

Опытный образец ДЛ-ВИОР в корпусе c-mount
Партия опытных образцов
ДЛ-ВИОР в корпусе c-mount
Опытный образец ДЛ-ВИОР в корпусе c-mount

Патенты

Россия
Инжекционный лазер
Россия
Инжекционный излучатель
Сингапур
Инжекционный лазер
Сингапур
Инжекционный излучатель